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應(yīng)用領(lǐng)域	電氣

1、HN7011A手持式直流電阻測試儀
三回路直流電阻測試儀 變壓器綜合試驗(yàn)臺(tái)
性能特點(diǎn)

1、電馳供電或者220V交流供電自適應(yīng)，一次充電。

2、輸出六檔電流，輸出10A電流，輸出25V電壓，并且可自動(dòng)選擇電流。

3、量程寬、準(zhǔn)度高，500uΩ～50KΩ。

4、具有電阻溫度換算功能，可選配無線測溫模塊，實(shí)時(shí)測量現(xiàn)場試品溫度，以確保電阻折算值的準(zhǔn)確性。MOSI-主設(shè)備數(shù)據(jù)輸出，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸入;MISO–主設(shè)備數(shù)據(jù)輸入，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸出;SCLK–時(shí)鐘信號(hào)，由主設(shè)備產(chǎn)生;SS–從設(shè)備使能信號(hào)，有主設(shè)備控制;SPI標(biāo)準(zhǔn)通訊接口SPI通訊接口的優(yōu)點(diǎn)是傳輸數(shù)據(jù)快，能達(dá)到幾兆到幾十兆，并且沒有系統(tǒng)開銷。SPI總線的缺點(diǎn)也比較明顯，主要是沒有的流控制，也沒有應(yīng)答機(jī)制確認(rèn)是否接收到數(shù)據(jù)。單線SPI接口還有一種另類的SPI通訊接口方式。

HN7010A變壓器直流電阻測試儀

產(chǎn)品特點(diǎn)
    1、整機(jī)由單片機(jī)控制，自動(dòng)化程度高，操作簡便。
    2、儀器采用電源技術(shù)，電流檔位多，測量范圍寬，可根據(jù)負(fù)載選擇電流，適合中小型變壓器和電壓互感器的直流電阻測量。，在測量電阻時(shí)，四線制測試法往往比兩線制測試法結(jié)果更。FlukeBT5系列的測試表筆就是采用了四線制測試的設(shè)計(jì)，但僅憑外觀判斷，不少工程師會(huì)誤以為這是兩線制測試的表筆，今天小福就帶大家來揭秘FlukeBT5系列蓄電池內(nèi)阻測試儀表筆暗藏的~簡單科普一下兩線制測試和四線制測試的區(qū)別：兩線制測試原理：如下圖所示，此種連接方式即為典型的兩線制測試。其中被測電阻為Rb，兩根導(dǎo)線的饋線電阻分別為R1和R2，利用已知的I及V12，即可得到結(jié)果，但結(jié)果R=(R1+R2+Rb)，包含了饋線電阻，阻值比實(shí)際偏大。
   變壓器直流電阻測試儀產(chǎn)品特點(diǎn)
    1、輸出電流：

<5mA、40mA、200mA、1A、5A、10A、20A、40A、60A、100A、600A
    2、分辨率：0.1μΩ
    3、量程：100Ω-20KΩ  （<5mA檔）   

1Ω-200Ω （40mA檔）   

100mΩ-40Ω   (200mA檔)       

5mΩ-6Ω    (1A檔)
          1mΩ-2Ω   (3A檔)             

0.5mΩ-200mΩ(10A檔)
    4、準(zhǔn)確度：±(0.2%+2字)
   2ATPS82140功率模塊的降額曲線如所示，降額曲線會(huì)隨著輸入與輸出電壓的變化而發(fā)生微小的變化，因此必須查看特定設(shè)計(jì)相對(duì)應(yīng)的曲線。一般來說，隨著輸出電壓的增大，降額情況會(huì)變得稍差一些，因?yàn)榭傒敵龉β屎涂偣β蕮p耗也會(huì)增大。這一點(diǎn)可通過效率得到平衡，因?yàn)樾蕰?huì)隨著輸出電壓的增大而提高，同時(shí)有助于降低功率損耗。后，降額曲線基于一個(gè)特定的印刷電路板(PCB)，而此電路板通常是功率模塊的評(píng)估模塊(EVM)。

HN7033A三通道直流電阻測試儀

   三通道直流電阻測試儀是用于大容量變壓器繞組直流電阻三相測量的儀器。該儀器可對(duì)變壓器繞組三相測試，對(duì)有載調(diào)壓變壓器可直接調(diào)節(jié)分接，不需要放電，測試時(shí)間為傳統(tǒng)方法的三分之一，解決了電力變壓器直流電阻測試耗時(shí)長的難題。儀器采用大屏幕液晶顯示，中文菜單提示，配有打印機(jī)，且具有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能，方便數(shù)據(jù)的讀取和記錄，測試數(shù)據(jù)穩(wěn)定，重復(fù)性好，抗干擾能力強(qiáng)，充放電速度快，是現(xiàn)場測試變壓器直流電阻的選擇。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測試位置和內(nèi)容，測完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。

三回路直流電阻測試儀 變壓器綜合試驗(yàn)臺(tái)其二，可以將隔離電源的輸入地與輸出地連接在一起變成非隔離，由于都是等電位，即不會(huì)出現(xiàn)打火拉弧現(xiàn)象。通過以上兩種方法，均可以確定是否是由于隔離電源輸入與輸出之間的走線間距問題導(dǎo)致打火拉弧。整改過程：通過分析確定是隔離電源輸入與輸出之間走線間距不足，共模浪涌導(dǎo)致兩端高壓差問題。為此將打火處的走線斷開，此處便不會(huì)再出現(xiàn)打火。同時(shí)如果其他地方有同樣的問題，在斷開前面的打火處后，則共模路徑為轉(zhuǎn)移到下一個(gè)間距不夠的地方，因此需要將這些隔離間距都斷開，并滿足共模電壓間距要求。